Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Chapitre D'ouvrage Année : 2009

Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisation

Christophe Raynaud
Ampère
CV
Duy Minh Nguyen
  • Fonction : Auteur
Ampère
Nicolas Dheilly
  • Fonction : Auteur
  • PersonId : 859353
Ampère
Dominique Tournier
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Pierre Brosselard
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Dominique Planson
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https://hal.science/hal-00661529

Soumis le : jeudi 19 janvier 2012-18:01:23

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:55

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Dates et versions

hal-00661529 , version 1 (19-01-2012)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00661529 , version 1

Citer

Christophe Raynaud, Duy Minh Nguyen, Nicolas Dheilly, Dominique Tournier, Pierre Brosselard, et al.. Optical Beam Induced Current Measurements: principles and applications to SiC device characterisation. Peter Friedrichs, Tsunenobu Kimoto, Lothar Ley, Gerhard Pensl. Silicon Carbide: Volume 1: Growth, Defects, and Novel Applications, Wiley, 319-340 (chapitre 12), 2009. ⟨hal-00661529⟩

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