Characterization and comparison of 1.2 kV SiC power devices from cryogenic to high temperature

The aim of this study consists in comparing effects of temperature on various Silicon Carbide power devices. Static and dynamical electrical characteristics have been measured for temperatures from 80K to 525K.

Mots clés

MOSFET SIC BJT high temperature cryogenic temperature JFET

Domaines

Energie électrique

Fichier principal

ecscrm_2014.pdf (4.63 Mo)

Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)

Dominique Planson : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-02132486

Soumis le : vendredi 17 mai 2019-11:10:35

Dernière modification le : vendredi 8 décembre 2023-19:37:05

Dates et versions

hal-02132486 , version 1 (17-05-2019)

Identifiants

HAL Id : hal-02132486 , version 1

Citer

Thibaut Chailloux, Cyril Calvez, Dominique Tournier, Dominique Planson. Characterization and comparison of 1.2 kV SiC power devices from cryogenic to high temperature. ECSCRM'14, Sep 2014, Grenoble, France. ⟨hal-02132486⟩

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