Protections périphériques de diodes bipolaires 10 kV en SiC-4H
Résumé
Ce papier présente et compare des différentes protections périphériques de diode bipolaire en SiC-4H avec pour cible une tenue en tension de 10 kV. Les diodes fabriquées sont protégées avec une simple combinaison entre la gravure MESA et la poche latérale (JTE: Junction Termination Extension) ou MESA-JTE avec anneaux de JTE. Une tenue en tension de 10 kV a été obtenue sur les meilleures diodes. Les résultats de mesures ont également montré que les anneaux de JTE permettent d’améliorer l’efficacité de la protection périphérique des
diodes.
Domaines
Electronique
Origine : Fichiers produits par l'(les) auteur(s)